IRF640N
IRF640N是200V N沟道功率MOSFET，适合高压应用如PFC电路和逆变器。 采用优质材料和先进工艺制造，具有高可靠性和稳定性，广泛应用于各种电子设备中。
Product Overview
Description
N沟道功率MOSFET 18A 200V是长电科技生产的优质半导体器件。
采用TO-220封装，具有良好的散热性能和可靠性。
广泛应用于电源、工业控制、汽车电子等领域。
Product Series
IRF
Primary Application
开关电源
Key Features
- 18A额定值
- 200V耐压
- TO-220封装
- 高可靠性
- 符合RoHS标准
Specifications
| Type | N-Channel |
|---|---|
| VDS | 200V |
| ID | 18A |
| RDS(on) | 180mΩ |
| Qg | 67nC |
| Package | TO-220 |
| Operating Temperature | -55°C to +175°C |
Applications
开关电源
Electronic system design
工业控制
Electronic system design
汽车电子
Electronic system design
消费电子
Electronic system design
FAE Expert Insights
"IRF640N是常用的半导体器件，性能稳定可靠。适合各种应用场景。"
N沟道功率MOSFET 18A 200V，性能稳定可靠，适合各种应用场景。具有良好的性价比和供货稳定性。 适合各种应用场景。具有良好的性价比和供货稳定性。广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制等领域。建议根据具体应用需求选择合适规格，如需技术支持请联系我们的FAE团队。
— FAE工程师, BeiLuo
Frequently Asked Questions
IRF640N的主要参数是什么？
N沟道功率MOSFET 18A 200V，采用TO-220封装。具体参数请参考数据手册。 更多详细信息和应用建议请参考产品数据手册或联系我们的技术支持团队。我们提供完整的选型指导、应用笔记和参考设计，帮助您快速完成产品开发。
根据应用需求选择合适规格。 建议根据具体应用需求选择合适规格。
IRF640N的常见问题1？
N沟道功率MOSFET 18A 200V，采用TO-220封装。具体参数和应用建议请参考数据手册或联系FAE获取技术支持。 更多详细信息和应用建议请参考产品数据手册或联系我们的技术支持团队。我们提供完整的选型指导、应用笔记和参考设计，帮助您快速完成产品开发。
根据应用需求选择合适规格。 建议根据具体应用需求选择合适规格。
IRF640N的常见问题2？
N沟道功率MOSFET 18A 200V，采用TO-220封装。具体参数和应用建议请参考数据手册或联系FAE获取技术支持。 更多详细信息和应用建议请参考产品数据手册或联系我们的技术支持团队。我们提供完整的选型指导、应用笔记和参考设计，帮助您快速完成产品开发。
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IRF640N的常见问题3？
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IRF640N的常见问题4？
N沟道功率MOSFET 18A 200V，采用TO-220封装。具体参数和应用建议请参考数据手册或联系FAE获取技术支持。 更多详细信息和应用建议请参考产品数据手册或联系我们的技术支持团队。我们提供完整的选型指导、应用笔记和参考设计，帮助您快速完成产品开发。
根据应用需求选择合适规格。 建议根据具体应用需求选择合适规格。